Ба наздикӣ, бисёре аз корбарон дар бораи афзалиятҳо ва нуқсонҳои технологияи пошидани пӯшиш пурсон шуданд, Мувофиқи талаботи мизоҷони мо, ҳоло коршиносони шӯъбаи технологияи RSM бо умеди ҳалли мушкилот бо мо мубодила хоҳанд кард.Эҳтимол, нуктаҳои зерин вуҷуд доранд:
1、 Парокандашавии магнитронҳои мутавозин
Агар фарз кунем, ки ҷараёни магнитие, ки аз нугҳои қутби магнитии дарунӣ ва берунии катоди пошхӯрии магнетронӣ мегузарад, баробар нест, он катодҳои пошхӯрии магнитронҳои мутавозин аст.Майдони магнитии катоди пошхӯрии оддии магнетронӣ дар наздикии сатҳи ҳадаф мутамарказ шудааст, дар ҳоле ки майдони магнитии катоди пошхӯрии магнитронҳои мутавозин аз ҳадаф берун мебарояд.Майдони магнитии катоди оддии магнетронӣ плазмаро дар наздикии сатҳи ҳадаф сахт маҳдуд мекунад, дар ҳоле ки плазма дар наздикии субстрат хеле заиф аст ва субстрат аз ҷониби ионҳо ва электронҳои қавӣ бомбаборон карда намешавад.Майдони магнитии катодҳои магнитронии ғайримувозинат метавонад плазмаро аз сатҳи ҳадаф дуртар дароз кунад ва субстратро ғарқ кунад.
2、 Пахши басомади радио (РБ).
Принсипи гузоштани плёнкаи изолятсионї: потенсиали манфї ба барандае, ки дар паси њадафи изолятсия гузошта шудааст, истифода мешавад.Дар плазмаи разряди дурахшанда, вақте ки лавҳаи роҳнамоии ионҳои мусбӣ суръат мегирад, он ҳадафи изолятсияро дар пеши худ бомбаборон мекунад, то партояд.Ин пошидан метавонад танҳо 10-7 сония давом кунад.Пас аз ин, потенсиали мусбате, ки аз заряди мусбати дар ҳадафи изолятсия ҷамъшуда ба вуҷуд омадааст, потенсиали манфии пластинкаи ноқилро ҷуброн мекунад, бинобар ин бомбаборони ионҳои мусбати энергияи баланд ба ҳадафи изолятсия қатъ карда мешавад.Дар ин ваќт агар полярии манбаи барќ баръакс шавад, электронњо плитаи изоляториро бомбаборон карда, заряди мусбати плитаи изоляториро дар давоми 10-9 сония безарар намуда, потенсиали онро ба сифр меоранд.Дар айни замон, баргардонидани қутббандии таъминоти барқ метавонад дар тӯли 10-7 сония пошидани партовҳоро ба вуҷуд орад.
Афзалиятҳои пошидани RF: ҳам ҳадафҳои металлӣ ва ҳам ҳадафҳои диэлектрикӣ метавонанд пошида шаванд.
3, пошидани магнитронии DC
Таҷҳизоти пӯшиши пошидани магнетрон майдони магнитиро дар ҳадафи катодҳои доимии пошидани доимӣ зиёд мекунад, қувваи Лоренц аз майдони магнитиро барои пайваст кардан ва дароз кардани траекторияи электронҳо дар майдони электрикӣ истифода мебарад, имкони бархӯрд байни электронҳо ва атомҳои газро зиёд мекунад. суръати ионизатсияи атомҳои газ, шумораи ионҳои энергияи баландро, ки ҳадафро бомбаборон мекунанд, зиёд мекунад ва шумораи электронҳои энергияи баландро, ки субстрати зарринро бомбаборон мекунанд, кам мекунад.
Афзалиятҳои пошидани магнитронҳои ҳамвор:
1. Зичии қудрати мақсаднок метавонад ба 12w / cm2 расад;
2. Шиддати ҳадаф метавонад ба 600 В мерасад;
3. Фишори газ метавонад ба 0,5pa мерасад.
Камбудиҳои пошидани магнитронҳои ҳамвор: ҳадаф дар майдони парвоз канали пошиданро ташкил медиҳад, кандашавии тамоми сатҳи ҳадаф нобаробар аст ва коэффитсиенти истифодаи ҳадаф ҳамагӣ 20% - 30% аст.
4、 Басомади фосилавии AC пошидани магнитрон
Он ба он ишора мекунад, ки дар таҷҳизоти пошидани магнитронии магнитронии AC, одатан ду ҳадаф бо андоза ва шакли якхела паҳлӯ ба паҳлӯ ҷойгир карда мешаванд, ки аксар вақт ҳамчун ҳадафҳои дугона номида мешаванд.Онҳо иншооти боздошташуда мебошанд.Одатан, ду ҳадаф дар як вақт таъмин карда мешаванд.Дар ҷараёни пошидани реактивии магнитронии AC-басомади AC, ду ҳадаф дар навбати худ ҳамчун анод ва катод амал мекунанд ва онҳо дар як ним давра ба ҳамдигар ҳамчун катодҳои анодӣ амал мекунанд.Ҳангоме ки ҳадаф дар потенсиали нимсикли манфи қарор дорад, сатҳи ҳадаф бо ионҳои мусбат бомбаборон ва пошида мешавад;Дар нимсикли мусбат электронҳои плазма ба сатҳи ҳадаф суръат мебахшанд, то заряди мусбати дар сатҳи изолятсионии сатҳи ҳадаф ҷамъшударо безарар созанд, ки ин на танҳо оташ гирифтани сатҳи ҳадафро пахш мекунад, балки падидаи " нопадид шудани анод».
Бартариҳои пошидани реактивии басомади фосилавии дукарата инҳоянд:
(1) Сатҳи баланди пасандоз.Барои ҳадафҳои кремний, суръати таҳшиншавии пошидани реактивии басомади миёна 10 маротиба аз пошидани реактивии доимӣ аст;
(2) Раванди пошиданро дар нуқтаи кори муқарраршуда устувор кардан мумкин аст;
(3) Падидаи «сӯхтан» бартараф карда мешавад.Зичии нуқсони плёнкаи изолятсионии омодашуда нисбат ба усули пошидани реактивии доимӣ чанд дараҷа камтар аст;
(4) Ҳарорати баландтари субстрат барои беҳтар кардани сифат ва пайвастшавии филм муфид аст;
(5) Агар таъминоти барқ нисбат ба таъминоти барқи РБ мувофиқат кардан ба ҳадаф осонтар бошад.
5, пошидани магнитронҳои реактивӣ
Дар ҷараёни пошидан, гази реаксия барои реаксия бо зарраҳои пошида барои тавлиди филмҳои мураккаб дода мешавад.Он метавонад ҳамзамон гази реактивиро барои реаксия бо ҳадафи пайвастаи пошхӯрда таъмин кунад ва инчунин метавонад гази реактивиро барои реаксия бо металли пошида ё ҳадафи хӯлаи ҳамзамон барои омода кардани филмҳои мураккаб бо таносуби кимиёвии додашуда таъмин кунад.
Афзалиятҳои плёнкаҳои омехтаи реактивии магнитронӣ:
(1) Маводҳои мақсаднок ва газҳои реаксия истифодашаванда оксиген, нитроген, карбогидридҳо ва ғайра мебошанд, ки одатан ба осонӣ ба даст овардани маҳсулоти дорои тозагии баланд мебошанд, ки барои омода кардани филмҳои мураккаби баландсифат мусоидат мекунанд;
(2) Тавассути танзими параметрҳои раванд, филмҳои мураккаби кимиёвӣ ё ғайрихимиявӣ омода карда мешаванд, то ки хусусиятҳои филмҳо танзим карда шаванд;
(3) Ҳарорати субстрат баланд нест ва дар зеризаминӣ маҳдудиятҳо каманд;
(4) Он барои пӯшиши якхелаи майдони васеъ мувофиқ аст ва истеҳсоли саноатиро амалӣ мекунад.
Дар раванди пошидани реактивии магнетронӣ ноустувории пошидани омехта ба осонӣ ба амал меояд, асосан аз ҷумла:
(1) Омода кардани ҳадафҳои мураккаб душвор аст;
(2) њодисаи зарбазании камон (разряди камон), ки дар натиљаи заҳролудшавии њадаф ва ноустувории раванди пошидан ба амал меояд;
(3) Сатҳи пасти пошидани пошидан;
(4) Зичии нуқсони филм баланд аст.
Вақти фиристодан: июл-21-2022