Дар айни замон фотоникаи бар кремний асосёфта платформаи фотоникаи насли оянда барои иртиботи воридшуда ҳисобида мешавад.Бо вуҷуди ин, таҳияи модуляторҳои оптикии паймон ва камқувват мушкил боқӣ мемонад.Дар ин ҷо мо дар бораи таъсири азими электро-оптикӣ дар чоҳҳои квантии Ge/SiGe хабар медиҳем.Ин эффекти умедбахш ба эффекти аномалии квантии Старк аз ҳисоби ҳабси алоҳидаи электронҳо ва сӯрохиҳо дар чоҳҳои квантии Ge/SiGe асос ёфтааст.Ин падида метавонад барои ба таври назаррас беҳтар кардани кори модуляторҳои рӯшноӣ дар муқоиса бо равишҳои стандартие, ки то имрӯз дар фотоникаи кремний таҳия шудаанд, истифода шавад.Мо тағиротро дар шохиси шикастани то 2,3 × 10-3 дар шиддати қафои 1,5 В бо самаранокии мувофиқи модуляцияи VπLπ 0,046 Всм чен кардем.Ин намоиш барои таҳияи модуляторҳои фазаҳои баландсуръат дар асоси системаҳои маводи Ge/SiGe роҳ мекушояд.
Вақти фиристодан: июн-06-2023