Дар бораи татбиқ ва принсипи технологияи ҳадафи пошидан, баъзе муштариён бо RSM машварат карданд, ҳоло барои ин мушкилот, ки бештар ба он нигарон аст, коршиносони техникӣ баъзе донишҳои мушаххаси марбутро мубодила мекунанд.
Барномаи ҳадафи пошидан:
Заррачаҳои барқгиранда (масалан, ионҳои аргон) сатҳи сахтро бомбаборон карда, боиси аз сатҳи падидаи объектие, ки «пошидан» ном дорад, гурезанд, ки заррачаҳои рӯизаминӣ, аз қабили атомҳо, молекулаҳо ё бастаҳо гурезанд.Дар пӯшиши пошидани магнетрон, ионҳои мусбате, ки дар натиҷаи ионизатсияи аргон тавлид мешаванд, одатан барои бомбаборон кардани ҷисми сахт (ҳадаф) истифода мешаванд ва атомҳои нейтралии пошидашуда дар субстрат (порчаи кор) барои ташаккули қабати плёнка ҷойгир карда мешаванд.Сарпӯши пошидани магнетрон ду хусусият дорад: "ҳарорати паст" ва "тез".
Принсипи пошидани магнитрон:
Дар байни қутби ҳадафи пошида (катод) ва анод майдони магнитии ортогоналӣ ва майдони электрикӣ илова карда мешавад ва дар камераи баланди вакууми гази инертии зарурӣ (одатан Ar гази) пур карда мешавад.Магнити доимӣ дар сатҳи маводи мавриди ҳадаф майдони магнитии 250-350 Гауссро ташкил медиҳад ва бо майдони электрикии баландшиддат майдони электромагнитии ортогоналӣ ба вуҷуд меорад.
Дар зери таъсири майдони электрикӣ гази Ar ба ионҳо ва электронҳои мусбӣ ионизатсия мешавад ва дар ҳадаф фишори баланди манфии муайян вуҷуд дорад, бинобар ин ба электронҳои аз қутби мақсаднок баровардашуда майдони магнитӣ ва эҳтимолияти ионизатсияи корӣ таъсир мерасонанд. газ меафзояд.Дар наздикии катод плазмаи зичии баланд ба вуҷуд меояд ва ионҳои Ar дар зери таъсири қувваи Лоренц ба сатҳи ҳадаф суръат мебахшанд ва сатҳи ҳадафро бо суръати баланд бомбаборон мекунанд, то атомҳои пошида дар рӯи ҳадаф аз сатҳи ҳадаф фирор кунанд. энергияи кинетикй ва ба субстрат парвоз карда, мувофики принципи табдили импульс плёнка ташкил мекунанд.
Парокандашавии магнитрон одатан ба ду намуд тақсим мешавад: пошидани доимии доимӣ ва пошидани RF.Принсипи таҷҳизоти пошидани доимӣ оддӣ аст ва суръати пошидани металл тез аст.Истифодаи пошидани RF васеътар аст, ба ғайр аз пошидани маводи ноқилӣ, инчунин пошидани маводи ғайриноқилӣ, инчунин тайёр кардани пошидани реактивии оксидҳо, нитридҳо ва карбидҳо ва дигар маводи мураккаб.Агар басомади РБ зиёд шавад, он пошидани плазмаи микроволновка мегардад.Дар айни замон, одатан резонанси электронии сиклотронӣ (ECR) пошидани плазмаи микромавҷӣ истифода мешавад.
Вақти фиристодан: 01-01-2022